realmeGT2大师探索版跑分图曝光 主摄有望支持OIS光学防抖

来源:快科技

realme GT2大师探索版现已确认将会搭载高通骁龙8+移动台,采用台积电4nm制程工艺,其功耗与良品率与三星4nm相比要更胜一筹。

今日,[email protected] GT2大师探索版的Geekbench 5跑分图,单核成绩达1296分,多核为 4211分,相较于骁龙8有接10%左右的提升,当然考虑到工程机的缘故,还有进一步的优化空间。

另外,根据跑分图显示,realme GT2大师探索版最高还将配备12GB内存,预计内存规格将会从前代的LPDDR4X 2133MHz升级到LPDDR5 3200MHz。

根据此前爆料的信息,realme GT2大师探索版将成为OPPO系首款支持100W快充的机型,同时辅以5000mAh双电芯电池,后置5000万像素三镜头设计,主摄有望支持OIS光学防抖。

另外,realme GT2大师探索版的外观将有日本知名设计师深泽直人操刀设计,整机的颜值将有比较大的提升,realme副总裁曾赞叹“这将是手机工业设计的天花板”。

标签: 大师探索版 外观设计 高通骁龙

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