据TG Daily网站报道，三星于日前开始采用50纳米工艺的DDR3内存的出样工作。新的DDR3内存不但有最高16GB的容量，其功耗也会更低。

三星表示，采用50纳米工艺的16GB DDR3内存使用了2Gb的内存颗粒，其密度是现有1Gb内存颗粒的2倍，并且新DDR3内存可节约40%的功耗。使用这种新的小型设计技术可以制造出最高8GB容量的内嵌式内存模块（RIMM，Rambus Inline Memory Module），以及最高4GB容量的笔记本电脑专用小型双重内嵌式内存模块（SODIMM，Small Outline Dual In-line Memory Module）。如果采用双芯片封装，就可以制造出16GB容量的桌面型和服务器内存。三星还透露，采用2Gb内存颗粒的16GB内存在1.5V或1.35V电压下具备1.3Gb/s的数据传输速率。据悉，这种DDR3内存将于今年年底开始量产，到2009年还将采用这种2Gb内存颗粒生产DRAM内存模块。

另外有分析师指出，明年内8GB或16GB等大容量内存将有望成为主流市场的新生主力军。不过目前8GB DDR3内存尚未普及，即便是8GB DDR2内存的价格也没有完全被拉下来，所以这种观点尚有待进一步考证。