AMD联合IBM推出超紫外线光刻测试芯片

AMD今天宣布与合作伙伴IBM在高级芯片制造技术方面获得了里程碑式的进步，并为生产16纳米甚至更小的半导体架构开创了新的途径。

据悉，AMD和IBM利用超紫外线（Extreme Ultra-Violet，EUV）在一块22mm×33mm的45纳米芯片上进行光刻。而这块芯片是在AMD位于德国德累斯顿Fab 36晶圆厂通过193纳米深紫外线（Deep Ultra-Violet，DUV）制造的，纽约州立大学奥尔巴尼分校纳米科学与工程学院的IMB科研基地的一个13.5纳米ASML EUV光刻扫描仪已经在德国被用于仿造了连接晶体管的第一个金属层。据AMD介绍，测试芯片的晶体管体现了“与仅使用193纳米浸入式光刻技术的测试芯片相一致的特征”。

因为在最近20年内，业界已经广泛讨论过要将EUV光刻技术作为下一代生产技术。上溯到1997年，英特尔、摩托罗拉、AMD就已经成立了EUV光刻有限公司来共同研发EUV技术，以取代100纳米生产水平的DUV技术。不过DUV技术在过去10年里仍有不少创新成果：现在我们已经可以量产45纳米芯片，这就是与193纳米浸入式光刻技术相结合的生产成果，另外目前业界也都普遍认为DUV技术具备生产22纳米产品的能力。

不过DUV技术迟早会被淘汰，为了使更小的16纳米芯片制造成为可能，向EUV过渡的代价再昂贵也是必须的。据分析，2013年之前有望使用EUV技术来生产16纳米芯片。

这是纽约州立大学奥尔巴尼分校纳米科学与工程学院的EUV光刻设备“Alpha Demo Tool（ADT）”，价值6500万美元。

小熊在线新闻中心