三星成功研发30纳米64Gb NAND闪存芯片

三星电子（Samsung Electronics）今天宣布已经成功研发了技术更为先进的闪存芯片，它将主要用于音乐播放器等数字产品。据三星介绍，这颗64Gb NAND闪存芯片的宽度是30纳米（1纳米=10亿分之一米），而普通人头发丝的宽度也有80,000纳米。“采用这种芯片的设备是高密度闪存的存储解决方案研发的一个重大飞跃。”

三星是全球首家成功研制此类芯片的厂商，这种芯片的诞生标志着NAND闪存芯片的存储密度连续八年翻倍，在NAND闪存芯片中采用的纳米技术连续七年都有改进。去年三星曾推出了采用40纳米工艺的32Gb NAND闪存芯片。据悉，64Gb NAND闪存芯片采用更先进技术的芯片的功耗更低。一般来说，闪存芯片都会在数字音乐播放器、数码相机、手机中使用。

据三星发言人Chae Su-yeon透露，64Gb NAND闪存芯片将在2009年进行量产阶段。另外目前三星的大部分闪存芯片都仍采用50纳米制造工艺。

采用三星64Gb NAND闪存芯片的设备