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微软在Windows Vista操作系统中增加了ReadyBoost和ReadyDrive两项重要的技术，通过ReadyBoost和ReadyDrive的相关功能，用户能够进一步缩短启动系统和应用程序的时间，并使硬盘的缓存空间得到更大的扩展，读写效率以及硬盘的使用寿命都得到了巨大的提升，为了与这两项技术相互配合，英特尔已经在今年4月份对Centrino平台中的Santa Rosa处理器进行了改造，并应用了Turbo Memory技术，这就极大的提升了ReadyBoost和ReadyDrive功能的效果。 英特尔已经领先一步，AMD当然不甘落后，也准备好了“HyperFlash”与英特尔竞争，据悉，“HyperFlash”技术将会应用在AMD下一代的SB700南桥中。现在AMD已经与三星达成了合作计划，将会在HyperFlash中使用三星的OneNAHD Flash闪存模块，三星生产的OneNAHD Flash闪存模块体积非常小，而且成本也相当低，这也为AMD普及这项技术做了最好的支持。
HyperFlash芯片工程样品 AMD的HyperFlash技术将和新一代的SB700南桥全面结合，首先AMD将会把Flash控制器线路与IDE的总线进行调整，使其能够支持三星的OneNAND芯片，最多能够支持4芯片封装，三星OneNAND芯片频率为80MHz、位宽为16Bit、最高传输速度为108MB/s。AMD表示，新的HyperFlash技术将会在性能和速度上比英特尔Turbo Memory快30%左右，相同条件下，比没有使用HyperFlash技术的PC程序启动速度快一倍左右。HyperFlash所使用的芯片模块是由Molex进行特殊设计，能够很方便的让PC制造商进行HyperFlash卡容量的添加，目前这项技术支持512MB、1GB、2GB三种不同的容量标准，相比之下，英特尔Turbo Memory所需的存储模块只能由英特尔提供，非常不方便。 AMD表示，如果HyperFlash技术推广成功的话，AMD将会将这项技术的芯片以及其他生产内容交给PC制造商。目前，AMD下一代SB700南桥还只是A12测试阶段，今年11月生产，12月大量上市，不过由于驱动的问题，要到明年2月才能真正全面支持HyperFlash技术。 |
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