新型PRAM内存明年出样 比闪存快30倍

目前PC机上使用的内存模块都是基于“动态随机存储器”（Dynamic Random-Access Memory-DRAM）技术，这是一种高性价比的内存，所以得到了英特尔等业内巨头的大力推广，不过DRAM的致命缺点却是访问速度比较低，存在着较高的内存延迟现象，为了进一步提高内存的性能，英特尔、三星、海力士、IBM、奇梦达（Qimonda）和Ovonyx等芯片制造商们现在正在积极开发一种全新的内存技术-“相变随机存储器”（Parallel Random Access Machine-PRAM），PRAM内存同样属于“磁性随机储存”（magnetic-RAM-MRAM）技术的一种，原理上与闪存相同，但是速度要比普通的闪存快30倍以上，寿命也要比闪存长10倍以上。

中国台湾工业技术研究院（ITRI）目前已经在PRAM技术上有了新的突破，取得该技术的50项专利，并且已经拿出了工程样品，晶圆切割已经已经准备就绪，预计在2008年底发布正式的产品。而三星作为全球最大的闪存芯片供应商，动作更快，去年年底就已经拿出了PRAM芯片的原型产品，容量为512MB，目前测试性能相当的稳定，不过台湾ITRI可能会在更多的专利技术和更大容量上和三星对抗。任何一项技术的发展都是需要时间的，业内人士认为，按照现在的研发情况，PRAM内存会在2011年批量出现在市场中与DRAM共同竞争，并最终取代DRAM内存。