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日本东芝（Toshiba）公司是全球第二大的闪存芯片制造商，但是目前闪存芯片市场的竞争越来越激烈，为了进一步增强实力，与强大的对手韩国三星电子（Samsung Electronics）对抗，日前zdnet等国外网站传来的消息称，东芝计划在2010年3月之前开始进行30纳米制程的闪存芯片的批量制造。东芝公司的高层管理人员Hiroko Mochida表示，东芝将在日本中部Yokkaichi市的芯片工厂开始30纳米制程闪存芯片的制造，并且该工厂将会在2008年3月之前首先进行43纳米制程闪存芯片的制造，然后逐渐过渡到30纳米制程闪存芯片。
目前，闪存芯片制造业内的竞争非常激烈，连全球最大的闪存芯片制造商三星电子也四处寻求合作，目前已经与IBM、德国英飞凌（Infineon）、新加坡特许半导体（Chartered）、美国飞思卡尔半导体（Freescale Semiconductor）等业内巨头形成了战略合作关系，并计划在2010年进行32纳米制程闪存芯片的制造。 而东芝这边则将目光转向了日本国内，为了进一步缩减制造成本，目前已经与NEC电子、富士通等公司形成了合作关系。东芝公司认为，与业内公司达成合作之后，将会大幅度提高芯片制造能力，满足手机、笔记本电脑、消费电子产品等市场的需求，并通过首先使用先进的制造工艺来获得竞争优势。 |
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