继2006年8月份推出60纳米8Gb NAND闪存，三星电子最近又将生产工艺向前推进一步，宣布开始量产基于51纳米制程的16Gb多级单元（MLC）NAND闪存。

    三星表示，新的高密度闪存芯片生产效率要比60纳米产品高60%，而且芯片的读写速度比现有的MLC数据处理速度提高将近80%。多级单元60纳米NAND闪存的读写速度分别为17MB/s和4.4MB/s，使用51纳米制程生产的NAND闪存则达到了30MB/s和8MB/s。

    NAND闪存读写数据以“页”为单位，三星新推出的51纳米16Gb NAND闪存页尺寸为4KB，而60纳米NAND闪存只有2KB。此外，60纳米NAND闪存的4-bit纠错码（ECC）也被保留下来，用户只需升级固件便能使用现有的系统界面。三星还准备面向音乐手机和mp3播放器推出支持4KB页尺寸的软件套装和整合固件存储设备。

小熊在线-layla 　北京 2007年04月30日