近日，韩国首尔消息，全球半导体解决方案的领导者——三星电子，今天宣布已经开发出行业内首款40纳米(nm)存储设备。该款新型NAND闪存设备容量为32Gb，是全球首款使用电荷捕获闪存(CTF)结构的产品。CTF是一种革命性的新方法，不仅可以进一步提高制造效率，而且能够极大地改善产品性能。
该款基于CTF技术的NAND闪存产品，可以极大地降低邻区(inter-cell)噪音级别，从而提高存储的可靠性。同时，该款闪存产品令人惊讶的简单结构还带来了更高的可测量性，并可以将制造处理技术从最终40纳米改进至30纳米，甚至20纳米。
在每一个32Gb设备里面，CTF的控制栅极仅仅是常见浮置栅极常规控制栅极的20%。因此，由于拥有了CTF，该款设备里面就不再需要安装浮置栅极，其数据可以被临时安置在绝缘层的氮化硅(SiN)"支持舱"里面。这种设置可以带来一种更高水平的可靠性，并且可以帮助更好地控制存储电流。
该款32Gb的NAND闪存产品可以用于密度高达64 GB的存储卡上，因此一张64GB的存储卡就可以存放64小时DVD分辨率的影片(相当于40部电影)、或16000个MP3音乐文件(相当于1340小时)。
三星电子之所以能够实现CTF设计技术，是因为采用了一种由钽(金属)、氧化铝(高k材料)、氮化物、氧化物和硅等构成的TANOS结构。对TANOS结构的采用，标志着三星在行业内首次成功地将金属层和高k材料结合应用于NAND设备中。
三星电子所推出的40纳米32Gb CTF NAND闪存设备的基础就是TANOS CTF结构，这一结构是三星半导体研发部门工作的结晶。在2003年国际电子原件会议(IEDM)上，三星发布了相关文件，第一次透露了TANOS结构。
日前，三星在汉城举行的第六次年度新闻招待会上，推出了这款新型32Gb
CTF内存产品。
三星电子半导体业务总裁兼首席执行官Chang Gyu Hwang博士曾经在2002年ISSCC（国际固态电子电路会议）的一次主题发言中提出：根据每十二个月密度就增长一倍的"新型内存增长理论"，该款40纳米32Gb NAND闪存的推出，标志着第七代NAND闪存产品已经面世。
参考资料
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技术特点(CTF——浮置栅极)
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电荷捕获闪存
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浮置栅极
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开发
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2006(三星)
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1989(东芝)
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结构
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单栅极
(控制栅极)
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双栅极
(控制栅极/浮置栅极)
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构成
(单元高度)
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简单
(浮置栅极的五分之一)
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复杂
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控制闸
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高度
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浮置栅极的五分之一
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材料
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金属(TaN)
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多晶硅
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存储级别
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高度
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浮置栅极的十分之一
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材料
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绝缘(氮化硅)
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不绝缘(多晶硅)
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邻区(Inter-Cell) 噪音级别
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无干扰
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浮置栅极有干扰
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可测量性
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>20纳米级别，高达256Gb
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>50纳米级别，高达16Gb
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处理步骤
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处理步骤减少了20%
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单元尺寸
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单元尺寸降低了28%
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