三星电子在全球NAND闪存市场具有无可争议的领先地位，据市场调研机构Isuppli统计，今年第二季度三星的市占率已经达到46.2%，而且其仍在加速开发相关技术。
9月11日三星宣布成功开发出第一款基于40nm工艺的32GB闪存芯片，存储卡厂商今后将可推出64GB容量的CF卡和SD卡，这些新型存储媒介最多可容纳64小时DVD分辨率的影片或15000个mp3音乐文件。
三星的这种芯片采用了基于金属单栅架构的“charge
trap”技术，在尺寸上要比传统的多晶硅双栅架构小得多。利用该技术可在20nm工艺下生产出256GB容量的芯片，而双栅闪存芯片仅能在50nm工艺下生产16GB芯片。
目前，NAND闪存主要应用于mp3和数码相机等消费电子产品，三星希望Vista操作系统、混合式硬盘、固态磁盘和外部闪存设备的需要可以推动NAND闪存在PC领域的应用。三星预计，到2010年基于20nm工艺的闪存芯片容量可达128MB-256MB。
三星还指出，相变随机存取存储器（Phase-change Random Access
Memory，PRAM）将在未来十年内取代NOR型闪存.据三星透露，PRAM的速度和适用寿命分别为NOR的30倍和10倍。三星已经研制出面积仅为0.0467μm2的PRAM芯片原型，预计首款搭配512MB
PRAM芯片的产品可于2008年问世。
