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第二代MirrorBit技术闪存 为数码提速！
【翻译】
2004年06月22日00:14
【文章简介】
美国AMD与富士通的合资企业Spansion日前发表了使用旨在提高闪存存储密度的第二代 “MirrorBit”技术的产品。 这种技术除提供工作电压1.8V…… (651 字)
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| ● 第二代MirrorBit技术闪存 为数码提速！
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美国AMD与富士通的合资企业Spansion日前发表了使用旨在提高闪存存储密度的第二代“MirrorBit”技术的产品。这种技术除提供工作电压1.8V、容量为256Mbit/128Mbit/64Mbit的产品外，还将工作电压3.0V的NOR型闪存“S29GL512N”的制造工艺提高至110nm规格。
MirrorBit可通过在闪存的每个存储单元中存储2位信息、将记录密度提高1倍。AMD表示：“该技术最适合于高分辨率相机以及支持流视频、最新游戏和应用软件的手机”。
Spansion总裁兼首席执行官Bertrand
Cambou解释说：“如果使用支持第一代MirrorBit技术的闪存的话，价格低于100美元的手机的功能增加和性能提高就很难实现”。“第二代MirrorBit技术的性价比极佳，有望成为无线设备闪存的业界标准”（Bertrand
Cambou）。
采用第二代MirrorBit技术的1.8V“WS-N”闪存产品系列中，Spansion将分别提供采用单芯片和多芯片封装（MCP）的256bit、128bit和64bit的产品。突发模式下的读取时钟频率为80MHz，连续处理量时为每秒150MB。通过使用高速缓存，最大写入速度可达每秒2.5MB。具有保持重要OS代码、设置及应用软件的“Advanced
Sector Protection”功能。与该公司此前生产的闪存具有管脚兼容性。
目前单芯片及MCP产品均已开始样品供货。量产供货的日期方面，256Mbit型号为2004年第三季度、128Mbit型号为同年第四季度、64Mbit型号为2005年第一季度。每1万个订购时的单价分别为：14.00美元、9.00美元和5.75美元。
另外，工作电压3.0V的S29GL512将采用110nm制造工艺量产、2004年第三季度开始供货。
来源：日经BP
【作者：小熊北京－wetnt
武汉】 版权作品
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