在2006年的9月，Samsung公司和Intel公司同时发布了相变随机存取存储器PRAM（phase-change
random access memory ）的原型。据EE Times报道，Intel公司近日宣布将于六月出样其90nm工艺16MB PRAM内存芯片。
该芯片将用来替代传统的NOR闪存，预计其大规模生产时间为2007年末。依照Intel Flash Memory
Group的CTO Ed Doller，该16MB PRAM内存芯片可达到闪存30倍的速度，并且能够达到10倍的寿命。
等到该产品商用化，手机待机时间或视频传输时间，以及享受各种菜单服务所需时间就会大幅缩短，最终将在某些领域取代RAM。
